安富利（深圳）商贸有限公司

RJK1557DPA-00#J0介绍：

描述 MOSFET N-CH 150V W-PAK

详细描述 表面贴装 N 沟道 150V 25A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Renesas Electronics America

系列 -

包装    带卷（TR） 

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 25A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 58 毫欧 @ 12.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） -

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 20nC @ 10V

Vgs（值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1250pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 30W（Tc）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-WPAK

封装/外壳 8-PowerWDFN

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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判定栅极G:将万用表拨至R×1k档，用万用表的负极任意接一电极，另一只表笔依次去接触其余的两个极，测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等，则负表笔所接触的为栅极，另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道;若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。

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