产品概览

制造商 NXP USA Inc.

制造商零件编号 PHD77NQ03T,118

描述 MOSFET N-CH 25V 75A DPAK

扩展描述 N-Channel 25V 75A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount DPAK

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

产品属性

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 NXP USA Inc.

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 过期

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss） 25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 75A（Tc）

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3.2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 17.1nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 860pF @ 12V

FET 功能 -

功率耗散（值） 107W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 9.5 毫欧 @ 25A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 DPAK

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63