安富利（深圳）商贸有限公司

MBRF20150CT介绍：

描述 DIODE SCHOTTKY 150V 10A ITO220AB

制造商标准提前期 19 周

详细描述 Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 150V 10A Through Hole TO-220-3 Isolated Tab

类别 分立半导体产品

二极管 - 整流器 - 阵列

制造商 Littelfuse Inc.

系列 MBR

包装   管件 

零件状态 在售

二极管配置 1 对共阴极

二极管类型 肖特基

电压 - DC 反向（Vr）（值） 150V

电流 - 平均整流（Io）（每二极管） 10A

不同 If 时的电压 - 正向（Vf 900mV @ 10A

速度 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）

不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 1mA @ 150V

工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-220-3 隔离片

供应商器件封装 ITO-220AB

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel）、安捷伦;

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反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。

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