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SI1022R-T1介绍:
描述 MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A
制造商标准提前期 33 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 330mA(Ta) 250mW(Ta) SC-75A
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 带卷(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 330mA(Ta)
驱动电压( Rds On, Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值) 1.25 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 0.6nC @ 4.5V
Vgs(值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 30pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 250mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SC-75A
封装/外壳 SC-75A
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
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在双极性晶体管中,射极到基极的很小的电流,会使得发射极到集电极之间,产生大电流;在场效应晶体管中,在栅极施加小电压,来控制源极和泄极之间的电流。晶体管也应用于数字电路,主要功能是当成电子开关。数字电路包括逻辑门、随机存取内存(RAM)和微处理器。
Vishay 的足迹包括在中国, 亚洲其他五个国家/地区, 欧洲及美洲设立的制造机构, 以及在开设的销售办事处. Vishay 在技术, 成功收购战略,注重降低成本, 以及提供"一站式"服务已使该公司成为业界的者.