安富利（深圳）商贸有限公司

IRF7832TRPBF介绍：

描述 MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装  带卷（TR） 

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 4 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.32V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 51nC @ 4.5V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 4310pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（值） 2.5W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-SO

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel）、安捷伦;

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在双极性晶体管中，射极到基极的很小的电流，会使得发射极到集电极之间，产生大电流；在场效应晶体管中，在栅极施加小电压，来控制源极和泄极之间的电流。晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。

英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链。在研发方面，英飞凌在上海、西安建立了研发中心，利用国内的人才资源，参与的重点项目研究;在无锡的后道生产工厂，为中国及其他市场生产先进的芯片产品;2011年，英飞凌集成电路(北京)有限公司正式开业，并在亦庄开发区建立了专注于面向风电高铁等行业的IGBT模块的制造。